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，前沿消隱技術(shù)(LEB)是開關(guān)電源中消除功率管開啟時(shí)電壓/電流尖峰干擾的關(guān)鍵方法，AH8650芯片通過內(nèi)置LEB電路 ，在功率管開啟瞬間屏蔽反饋信號(hào)
，避免誤觸發(fā)保護(hù)，有效抑制開關(guān)噪聲干擾 ，該技術(shù)在提升系統(tǒng)可靠性和效率的同時(shí)
，適用于usb PD快充、LED驅(qū)動(dòng)等高噪聲敏感場(chǎng)景，實(shí)際應(yīng)用中需結(jié)合數(shù)據(jù)手冊(cè)調(diào)整外部元件參數(shù)適配工況。  ，（注：已剔除版權(quán)聲明等非核心信息
，保留技術(shù)原理 、芯片作用及適用場(chǎng)景等關(guān)鍵內(nèi)容，符合簡(jiǎn)潔性要求 。）

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1. AH8650的LEB技術(shù)實(shí)現(xiàn)機(jī)制">2. AH8650的LEB技術(shù)實(shí)現(xiàn)機(jī)制
2. 3. 典型應(yīng)用場(chǎng)景（以AH8650為例）
3. 4. 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
4. 5. 與其他技術(shù)的協(xié)同

前沿消隱技術(shù)（Leading Edge Blanking, LEB）是開關(guān)電源中用于消除功率管開啟瞬間電壓/電流尖峰干擾的關(guān)鍵技術(shù)
。AH8650通過內(nèi)部LEB電路在功率管開啟的短暫時(shí)間內(nèi)屏蔽反饋信號(hào) ，避免誤觸發(fā)保護(hù)電路
，從而抑制虛假的開關(guān)噪聲對(duì)系統(tǒng)的影響，以下是具體解析：

• 寄生參數(shù)影響：MOSFET/IGBT的寄生電容（Coss
  、Cgd）與電路電感（PCB走線、變壓器漏感）在開關(guān)瞬間形成高頻振蕩。
• 米勒效應(yīng)：柵極驅(qū)動(dòng)過程中 ，米勒電容（Cgd）導(dǎo)致漏極電壓突變，疊加在電流采樣信號(hào)上 。
• 二極管反向恢復(fù)：若存在體二極管或續(xù)流二極管
  ，反向恢復(fù)電流會(huì)加劇尖峰
  。

AH8650的LEB技術(shù)實(shí)現(xiàn)機(jī)制

(1) 硬件層面

• 時(shí)間窗口屏蔽：在功率管開啟后的固定時(shí)間（通常50-200ns），LEB電路強(qiáng)制忽略電流采樣信號(hào)（如采樣電阻或CT檢測(cè)的信號(hào)） ，避免誤判過流。
• 動(dòng)態(tài)閾值調(diào)整：部分IC（如AH8650）會(huì)結(jié)合輸入電壓或負(fù)載條件動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)消隱時(shí)間
  ，優(yōu)化不同工況下的抗干擾能力 。

(2) 關(guān)鍵電路設(shè)計(jì)

• 延遲比較器：采樣信號(hào)需通過延遲通道，與消隱時(shí)間發(fā)生器同步 ，確保屏蔽期間不觸發(fā)PWM關(guān)斷
  。
• 噪聲濾波：在LEB時(shí)間窗口外
  ，仍會(huì)配置低通濾波（如RC網(wǎng)絡(luò)）進(jìn)一步抑制高頻噪聲。

典型應(yīng)用場(chǎng)景（以AH8650為例）

• 反激式拓?fù)?/strong>：初級(jí)側(cè)MOSFET開啟時(shí)，漏極電流尖峰可能通過電流采樣電阻誤觸發(fā)OCP（過流保護(hù)） ，LEB可避免此問題 。
• Buck/Boost電路：同步整流管的開啟瞬態(tài)電壓振蕩可能被誤讀為短路
  ，LEB確保系統(tǒng)穩(wěn)定
  。